CMP即“化学机械抛光”，半导体器件通常要求达到纳米级的平整度，要不然，各处电阻值不均，光刻也刻不准，目前最好的工艺是用化学(液体)和机械(垫子)结合起来的方式。在抛光这个工艺中，最重要的两种材料是抛光液和抛光垫。

据中研产业研究院报告《2021-2025年中国CMP抛光材料行业发展趋势及投资预测报告》分析

从半导体材料来看，至2020年全球市场规模在539.0亿美元，较2019年同比增长2.2%。CMP环节占了整体原材料占比的6.9%，而在其中抛光液及抛光垫分别占据了49%及33%的比重，通过对于2020年半导体材料市场的统计数据来看，可以得出在2020年全球CMP抛光液及CMP抛光垫市场规模约在18.2亿美元及12.3亿美元。对应中国大陆半导体材料在全球占比约为16.7%的基础上，可以测算出中国大陆的CMP抛光液及抛光垫市场空间约为20.4亿元人民币及13.8亿元人民币(汇率为6.7)。

CMP抛光材料行业现状分析

在企业竞争格局中，全球抛光液和抛光垫市场长期被美国和日本企业所垄断，例如，在抛光液市场，美国Cabot公司的市场占有率达33%;在抛光垫市场，美国DOW公司的市场份额达79%。在我国，抛光液的进口依赖局面已由安集科技公司打破，鼎龙股份的抛光垫产品也在持续开拓市场。

传统的CMP技术在IC制造中得到广泛的应用，同时也表现出一系列的缺陷。随着芯片集成度不断提高，技术节点的不断推进，探索适应新工艺要求的新一代平坦化技术成为人们的迫切需求。

新的平坦化技术研发主要集中在将磨料固定在有机薄膜基材表面上，形成新的抛光垫来替代传统抛光垫的固定磨料化学机械抛光技术(Fixed CMP，FA-CMP)。通过使用不含有磨料的抛光液，直接通过抛光液与硅片之间化学腐蚀作用及抛光垫和硅片之间的摩擦作用去除表面材料实现硅片全局平坦化的无磨料化学机械抛光技术(Abrasive-free CMP，AF-CMP)。在传统电化学铜沉积工艺基础上，在两个电极之间增加非导体多孔抛光垫，在利用抛光垫干扰作用实现选择性电化学铜沉积同时，利用抛光垫的机械摩擦和抛光作用去除多余铜沉积层而达到平坦化目的的电化学沉积技术(Electrochemical mechanical deposition，ECMD)。依靠电流密度效应按一系列同心环对铜结构表面进行平坦化的无应力抛光技术(Stress-Free polishing，SFP)。通过压力将要平坦化的物体压平的接触平坦化(Contact planarization，CP)。通过控制等离子喷嘴的位置和速度，对凹凸表面进行局部加工的等离子辅助化学刻蚀(Plasma assisted chemical etching，PACE)等。

由于工艺制程和技术节点不同，每片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道CMP抛光工艺。随着未来芯片尺寸不断减小的趋势，CMP抛光的步骤将不断增加，对CMP材料的需求也将不断增加。鉴于中国大陆已是全球最大的半导体市场，半导体材料作为半导体产业的重要组成，未来的发展潜力巨大。

未来，随着国内半导体市场不断增长和国家政策对“半导体和集成电路”产业的支持，我国CMP抛光材料国产化、本土化的供应进程将加快。

想要了解更多CMP抛光材料行业的发展前景，请查阅《2021-2025年中国CMP抛光材料行业发展趋势及投资预测报告》。

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