碳化硅行业分析

在新能源时代，碳化硅即将迎来属于它的性价比：在新能源汽车的主逆变器、车载充电器、快速充电桩、光伏逆变器等场景中均有广泛的应用空间。碳化硅更是电驱系统向高电压升级的核“芯”，解决电动汽车里程焦虑和充电速度慢两大核心痛点。

第三代半导体材料引发全球瞩目，碳化硅成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点，美、日、欧等国都在积极进行战略部署。当前，国际上第三代半导体材料、器件已实现了从研发到规模性量产的成功跨越，并进入产业化快速发展阶段，在新能源汽车、高速轨道交通、5G通信、光伏并网、消费类电子等多个重点领域实现了应用突破。2020年以来，发达国家纷纷将半导体技术和产业上升到国家安全战略层面，考虑以国家级力量进行技术研发、产业链发展、原材料、生产制造等多维度、全方位的部署。

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随着技术突破和成本的下降，SiC器件预计在不远的将来会大规模的应用于各个领域。根据数据，2018年和2021年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和9.3亿美元，复合增速约32.4%，按照该复合增速，预计2022年碳化硅功率器件市场规模约10.9亿美元。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅器件市场规模增速可观。

据中研产业研究院报告《2022-2027年中国碳化硅行业市场全景调研及投资价值评估研究报告》分析

碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用。通常采用物理气相传输法(PVT法)制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法(CVD法)等生成外延片，最后制成相关器件。在SiC器件的产业链中，由于衬底制造工艺难度大，产业链价值量主要集中于上游衬底环节。

随着碳化硅下游市场的超预期发展，碳化硅产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。

美国厂商占据主导地位，国内度过产业化元年。Wolfspeed的出货量占据了全球的45%。2021年是国内SiC产业化元年，2021年一季度国内新增SiC项目合计投资金额达到630亿元，超过2020年全年的水平，达到2012-2019年合计值的5倍以上。

目前，碳化硅衬底主流尺寸为4-6英寸，8英寸衬底仅有Wolfspeed、II-VI公司和意法半导体ST等少数几家研制成功，其中，Wolfspeed是首家掌握8英寸量产技术并建设对应晶圆厂的公司。

碳化硅产业将持续以两位数幅度增长

2020年全球第三代半导体产业在美国的逆全球化举措下发生了巨大的波动，抢占半导体产业竞争格局的制高点成为全球各国的共同诉求和投入方向，由此可以预见未来几年，全球半导体领域的资源、人才竞争将进入白热化阶段。5G、入工智能、新能源等发展提速，对碳化硅需求猛增，产业的关注度日益增高，国产化替代成为发展趋势。预计未来几年中国碳化硅产业将持续以两位数增长幅度增长，2027年器件市场规模将突破700亿元。

想要了解更多碳化硅行业的发展前景，请查阅《2022-2027年中国碳化硅行业市场全景调研及投资价值评估研究报告》。